[image]

Светодиодный датчик апогея

Больше схем - хороших и разных!
 
1 56 57 58 59 60 78
BG -VMK- #25.01.2012 22:43  @a_centaurus#25.01.2012 18:38
+
-
edit
 

-VMK-

опытный

a_centaurus> ...Хотя изготовитель рекомендует использовать питание не ниже 6 V, решил испытать эту, с напряжением 3.7 V (4.2 В после зарядки). Оказалось, что этого вполне достаточно...

Датчика (конструктор pinko) е изграден с елементи позволяващи работа до минимум 3,5V, но не с максимален ток на ключовия транзистор. Но при 3,5V максималния ток на ключовия транзистор е достатъчен за нормална работа на фотодатчика. Графика на зависимостта напрежение-ток:

   9.0.19.0.1
UA Non-conformist #26.01.2012 00:08  @Брат-2#25.01.2012 22:41
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Брат-2> [i]Фактически к возникновению конечного (ненулевого) тока затвора приводит ряд механизмов. Даже у МОП - транзисторов изоляция затвора (двуокись кремния) несовершенна, что приводит к токам утечки, находящимся в пикоамперном диапазоне.
Это Хоровиц-Хилл, Т.1 "Искусство Схемотехники". Всё здесь правильно написано.

Однако ЖЕ... Практически вся полезная работа ТВОЕЙ трёхтранзисторной схемы как фотодатчика апогея происходит как раз в отсутствие тока стока при НАГЛУХО запертом затворе JFET'a. Т.е. как раз в условиях, которые и описываются именно в ДШ, а отнюдь не в ХоХи. ХоХи пишут про АКТИВНЫЙ режим работы JFET'a, и спорить с их замечаниями глупо. Но мы-то обсуждаем не JFET вообще, не какой-то абстрактный усилительный какскад на его основе, но работу JFET'a в составе ТВОЕЙ, сугубо релейно-ключевой схемы с НУЛЕВЫМ током потребления в дежурном, а точнее - в самом что ни на есть РАБОЧЕМ режиме.

Есть, конечно, ещё моменты - температура и напряжение С-И. Но коль скоро схема твоя работает и в жару, и при 60 В С-И... Не знаю... Значит, не настолько уж и возрастает ток утечки затвора, не так ли? Что было бы с сигналом антипары, если бы согласно Андрею Суворову, ток утечки затвора в силу совокупности каких-то факторов возрос бы до МИКРОамперных значений? Полезный сигнал светодиодной антипары просто обратился бы в практический ноль - в те десятки милливольт, которые регистрируются тестером со входным сопротивлением порядка 10 МОМ. Смогли бы эти десятки милливольт запереть JFET в стартовом положении ракеты, когда для такой работы их нужны сотни и тысячи? А если нет, то о чём тогда разговор?

***
Моё краткое резюме - как Я вижу настоящую ситуацию.

Время идёт, и несмотря на все замечательные качества трёхтомника приведённых тобой авторов (моё сугубое к ним уважение), оно вносит свои коррективы даже в такие фундаментальные главы и разделы, как основные свойства полевиков. Сейчас, например, очень трудно найти ПРАКТИЧЕСКИ продаваемые полевики с пикоамперными токами утечки затвора - они просто вымерли, выбитые ESD. На их место пришли защищённые зенером "З-И" МОП-транзисторы, практически неподверженные губительному воздействию электростатики. Но за всё приходится платить, и в данном случае расплата выглядит как возросший на три-пять порядков ток утечки МОП-затвора: типовые 100 НАНОампер - ПРИ ЛЮБЫХ электрических условиях (т.е. меньше быть не может ни при каких комбинациях - только больше). Иногда - 10 нА (изредка). Меньше десяти - вообще не встречал.

А вот затвор JFET-a ПРИ НУЛЕВОМ СМЕЩЕНИИ действительно ничего особо выдающегося в плане малости утечки из себя не представляет, а стало быть и не нуждается в каких-то искусственных способах защиты от статики - она в нём просто не держится! Но если затвор JFET'a запереть отрицательным перепадом, вот тогда он и показывает свои фемто-пикоамперы! А статика в этом случае совсем не так страшна ему, поскольку транзистор уже включен в схему, и нет висящих в воздухе выводов-"громоотводов"...
   
AR a_centaurus #26.01.2012 05:10  @-VMK-#25.01.2012 22:43
+
-
edit
 

a_centaurus

опытный

-VMK-> Датчика (конструктор pinko) е изграден с елементи позволяващи работа до минимум 3,5V

Понято, Веселин. Спасибо за подтверждение. На самом деле такая батарея дает возможность устанавливать HEAD в ракеты небольших калибров без занимания лишнего обьёма и длинных каблей.
   8.08.0
RU Muller #26.01.2012 18:54  @a_centaurus#26.01.2012 05:10
+
-
edit
 

Muller

новичок
Приветствую всех. Уже два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал. Возможно, я ошибался в схеме, так что у меня есть просьба и несколько вопросов..
1) Нарисуйте, пожалуйста, схему и разводку фотодатчика для сквозного монтажа, в габарите примерно 25х50 мм, так как у меня нет навыков и микропаяльника для работы с SMD, да и вообще я почти профан в электронике.
2) У меня имеется операционник CA3140EZ и тиристор ВТ152Х, нормально ли они подойдут?
3) Можно ли выносить светодиоды на проводах? И пригодны ли для этой цели провода 0,1 мм во фторопластовой изоляции?
4) Адекватно ли ведет себя датчик зимой, не нужен ли другой нижний светодиод для пары?
   3.6.243.6.24
Это сообщение редактировалось 26.01.2012 в 19:01
+
-
edit
 

Serge77

модератор

Muller> Приветствую всех. Уже два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал.

По какой схеме делал? Как именно проверял?

Схема и рекомендации здесь:

   3.0.193.0.19
IS Брат-2 #26.01.2012 19:05  @Non-conformist#26.01.2012 00:08
+
+1
-
edit
 

Брат-2

опытный

....
Non-conformist> Моё краткое резюме - как Я вижу настоящую ситуацию.
...
Право каждого иметь свою точку зрения, вот только навязывать ее другим есть право не у всех! :)
   
UA Non-conformist #26.01.2012 22:33  @Брат-2#26.01.2012 19:05
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Жаль, но всё как обычно: когда нечего возразить по существу, ты, по своему обыкновению, начинаешь какую-то мутную, никчемную игру словами и смыслами. Причём с явным благородным намерением указать оппоненту на его место...

Если у тебя в конце концов сформируется хоть какая-то мало-мальски электротехнически логичная точка зрения по этому вопросу - поделись, не навязывая, а я почитаю. Буду рад, если мои рассуждения выше хоть чем-то тебе помогут.
   

Ckona

опытный
★☆
Muller> два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал.
По какой схеме - по "стандартной на ОУ"?

Мuller, схема "дубовая", всегда работает. Надо искать ошибки в монтаже.
Сначала можно просто спаять схему на столе без платы и убедиться, что работает - а потом сотворять плату.
Есть ли у тебя тестер ?
Для начала надо проверить полярность светодиодов: поочередная освещенность дает напряжение разной полярности.

5 см проводов никак не повлияют.
   

Ckona

опытный
★☆
Muller> операционник CA3140EZ
Теоретически его можно угробить статическим зарядом, особенно зимой на сухом воздухе.
Несмотря на защитные диоды, вследствие малой площади переходов.
Рекомендуется вставлять его в панельку, уже после выполнения остального монтажа.
   
IS Брат-2 #28.01.2012 17:20  @Non-conformist#26.01.2012 22:33
+
-
edit
 

Брат-2

опытный

Non-conformist> Если у тебя в конце концов сформируется хоть какая-то мало-мальски электротехнически логичная точка зрения по этому вопросу - поделись, не навязывая, а я почитаю. Буду рад, если мои рассуждения выше хоть чем-то тебе помогут.

Тебе, конечно спасибо! Твои рассуждения заставили меня пересмотреть весь имеющийся материал по полевым транзисторам. От себя могу только добавить, что транзисторная схема может работать с любым типом транзистора.
Прикреплённые файлы:
1.JPG (скачать) [19,4 кБ]
 
 
   
+
-
edit
 

Ckona

опытный
★☆
Брат-2> транзисторная схема может работать с любым типом транзистора.
Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
Тогда станет понятным принципиальное различие в характеристиках.
   
+
-
edit
 

Брат-2

опытный

Ckona> Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
Ckona> Тогда станет понятным принципиальное различие в характеристиках.

Радиостанция на лампах или транзисторах? Повторяю, радиостанция на бронепоезде! :)
Действительно, несмотря на то, что все типы транзисторов могут работать в датчике апогея, есть и некоторые нюансы. Во-первых, входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10…10 Ом, а у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 10⁷…10⁹, поэтому, теоретически МДП транзисторы могут обеспечить большую чувствительность датчика. Во-вторых, транзисторы с управляющим р-n (1) и МДП со встроенным каналом (2) имеют начальный ток стока, то есть при недостаточной освещенности светодиодов схема выдаст сигнал выброса парашюта, что может являться системой безопасности. МДП с индуцированным каналом (3) начального тока стока не имеют, поэтому выброс парашюта произойдет только при освещении нижнего светодиода, что несколько удобнее в эксплуатации. Критерием выбора транзистора является напряжение отсечки, которое не должно быть больше 1,5В. Применяемые мной МДП SMD 702 с индуцированным каналом выбран по принципу, что подходящее попалось под руки.
   
IS Брат-2 #28.01.2012 21:02  @Брат-2#28.01.2012 20:57
+
-
edit
 

Брат-2

опытный

Брат-2> входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10…10 Ом,
Для МДП входное сопротивление 10 в десятой...10 в четырнадцатой степени.
   
UA Non-conformist #29.01.2012 11:29  @Ckona#28.01.2012 18:36
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Ckona> Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
В переводной литературе (ХоХи) это дело дифференцируется как "с обогащением канала" и "с обеднением канала". "С обеднением" - это когда при нулевом напряжении ЗИ имеет место некоторый начальный ток стока, как у JFET'a. JFET бывают только обеднённого типа, потому что иначе затвор у них превращается в обычный лиод, а MOSFET - и обогащённого (обычно) и обеднённого (изредка). Я приводил выше несколько мосфетов обеднённого типа, которые продаёт ИМРАД.

* * *
Спор насчёт величины утечки JFET'а может разрешить эксперимент. Нужно взять магазин высокоомных резисторов, подключить через него батарейку ко входу истокового повторителя (ХоХи, Т.1, стр. 142 .. 143), и подбором величины последовательного сопротивления добиться того, чтобы тестер, подключенный к выходу повторителя, показал половину напряжения батарейки. В этом случае величина последовательно включенного резистора будет равна входному сопротивлению истокового повторителя, т.е. входному сопротивлению собственно JFET'a. Имея на руках входное сопротивление, легко оценить ток утечки JFET'а.
   
IS Брат-2 #29.01.2012 12:50  @Non-conformist#29.01.2012 11:29
+
+1
-
edit
 

Брат-2

опытный

Non-conformist> В переводной литературе (ХоХи) ...JFET'a. JFET ...а MOSFET ...
Non-conformist> Спор насчёт величины утечки JFET'а может разрешить эксперимент. ..

Non-conformist! Если тебе не сложно называй вещи терминами общепринятыми на пространстве СНГ! Нам людям в старости сложно перестраиваться, да и Украина еще не в ЕС! :)
Что такое ХоХи? Может, выложишь в файлообменник или ссылочку подкинешь, уж больно интересная литература, ведь предложение по измерению входных токов утечек в соответствие с ней банальная авантюра. Во-первых, где ты видел сопротивления подобной величины? Вот я один раз держал в руках 100 мОм, а набрать магазин, да еще больших значений, однозначно - авантюра. Во-вторых, Было наплетено не о том, извини :). Да и о чем спорить. Затвор с р-n-переходом – это диод смещенный в обратном направлении, а затвор МДП – изоляция!
   
Это сообщение редактировалось 29.01.2012 в 13:15
UA Non-conformist #29.01.2012 14:57  @Брат-2#29.01.2012 12:50
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Предпочитаю называть вещи именами, принятыми в пространстве ХоХи, т.е. в пространстве трёхтомника "Искусство схемотехники" Пола Хоровица и Уинфилда Хилла. Ибо за тридцать лет транзисторно-полупроводниковой советской власти местные мудрецы так и не удосужились написать ничего хоть отдалённо напоминающего этот учебник. И потому нет у меня никакого энтузиазма к вашему пространству. Что было то было, не отрицаю... Но и не скучаю - вы уж не обессудьте.
   
UA Non-conformist #29.01.2012 15:05  @Non-conformist#29.01.2012 14:57
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Насчёт высокоомного магазина - у меня на работе есть "Имитатор электродной системы рН-метров", представляющий собой нормальный ртутный элемент с декадным делителем, на выходе которого стоят несколько последовательных резисторов, общим сопротивлением несколько ГОм. Точнее таких имитаторов у меня даже два. Один из них вышел из строя, и подозрение пало именно на гигаомные балластники на выходе, ибо всё остальное работает вполне нормально.

Я это к тому, что я искал им замену через инет, и точно помню, что нашёл, причём совсем недорого. Но где - не помню, потому что руководство платить отказалось, и всё это дело благополучно похерилось и забылось. Если есть интерес, можно освежить. Насколько мне помнится, гигаомники были именно в СМД, и совсем недорого, на уровне прецизионных резисторов.
   
UA Non-conformist #29.01.2012 15:14  @Брат-2#29.01.2012 12:50
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Брат-2> Да и о чем спорить. Затвор с р-n-переходом – это диод смещенный в обратном направлении, а затвор МДП – изоляция!
Во бл... СТАБИЛИТРОН там стоит с затвора на исток, ты буквы печатные читать умеешь? Уже и картинку приводил для особо одарённых...

Виноват, достало.
   
KZ Xan #29.01.2012 15:24  @Non-conformist#29.01.2012 14:57
+
+1
-
edit
 

Xan

координатор

Non-conformist> Предпочитаю называть вещи именами, принятыми в пространстве ХоХи

У ХоХи не было мосфетов и жифетов!!! :D
Ну и каналы у полевиков были "встроенные" и "индуцированные".

Наверное, Брат-2 тебе про это хочет сказать. :)
   9.09.0
UA Non-conformist #29.01.2012 15:26  @Non-conformist#29.01.2012 15:14
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

0,1 ГОм есть здесь: ООО НПП "Интегральные микросистемы"
Вкладка "Резисторы прецизионные": КВМ-0,125W Г10+-2% 3,75 грн.
Только непонятно - за штуку или за сотню. Если за штуку, то и впрямь дороговато, если, например, десять гигов набирать. Плюс изоляторы, работа. А на выходе? Всё равно ведь ничего не докажешь - скажет, внешние утечки. Да и ну его в пень; сам себе доказывай, что хочешь.
   
UA Non-conformist #29.01.2012 15:28  @Xan#29.01.2012 15:24
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Xan> Наверное, Брат-2 тебе про это хочет сказать. :)
О, здравствуй, мил человек! Картинку привесть? Ну поверь ты на слово! Скажи - "ВЕРЮ, извини, ошибся!"...
   
KZ Xan #29.01.2012 15:31  @Non-conformist#29.01.2012 15:05
+
-
edit
 

Xan

координатор

Non-conformist> Насчёт высокоомного магазина

Вообще-то, утечки действительно мало текущих схем меряют с помощью конденсатора.
Заряжают, а потом смотрят, как напруга изменяется.
Ну и арифмометром, арифмометром!!!
   9.09.0
KZ Xan #29.01.2012 15:34  @Non-conformist#29.01.2012 15:28
+
-
edit
 

Xan

координатор

Non-conformist> О, здравствуй, мил человек! Картинку привесть? Ну поверь ты на слово! Скажи - "ВЕРЮ, извини, ошибся!"...

Ухожу, Марьванна, ухожу, ухожу!!!

Почему-то мне показалось, что авторы советские.
   9.09.0
UA Non-conformist #29.01.2012 15:36  @Non-conformist#29.01.2012 15:28
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Тьфу ты... Действительно мофетов и джейфетов нет в переводе... Хорошо хоть обогащённые-обеднённые есть, а то уж подумал, что совсем плох стал. ))
Прикреплённые файлы:
123.png (скачать) [224 кБ]
 
 
   
UA Non-conformist #29.01.2012 15:40  @Xan#29.01.2012 15:31
+
-
edit
 

Non-conformist

аксакал

Xan> Вообще-то, утечки действительно мало текущих схем меряют с помощью конденсатора.
О, а вот это мысл... Надо будет попробовать к примеру десять нанов зарядить, и посмотреть, где быстрее разрядится. Чтоб без арифмометра. ))
   
1 56 57 58 59 60 78

в начало страницы | новое
 
Поиск
Настройки
Твиттер сайта
Статистика
Рейтинг@Mail.ru