«Сейчас российский рынок платёжных систем строится преимущественно на микросхемах иностранного производства. Наш чип позволяет сделать полностью российское решение, — сообщила генеральный директор ПАО «Микрон» Гульнара Хасьянова. — Это важный фактор технологической независимости и безопасности, который относится ко всей линейке смарт-карт и ID-документов».
Минобрнауки России выделит 250 млн рублей на совместный проект GS Nanotech, ПетрГУ и «Опти-софт»
2 октября 2017 года Министерство образования и науки РФ объявило результаты конкурса проектов в области научных исследований и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям Стратегии научно-технологического развития РФ.
В числе победителей – совместный проект центра микроэлектроники GS Nanotech (в составе инновационного кластера «Технополис GS» в г. Гусеве Калининградской обл.), Петрозаводского государственного университета (ПетрГУ) и компании «Опти-софт» «Создание твердотельных систем хранения данных с использованием интегральных микросхем высокой степени интеграции, произведенных по технологиям трехмерного многокристального корпусирования». В ходе его реализации будут разработаны первые российские энергонезависимые устройства и системы хранения данных, а также налажено их массовое производство. Минобрнауки России выделит 250 млн руб. на выполнение проекта, общая стоимость работ составит порядка 375 млн рублей.
Уникальные для российского рынка компетенции GS Nanotech, ПетрГУ и “Опти-софт” в области разработки и массового производства твердотельных накопителей и сложных систем, включая создание микромодулей памяти, печатных плат, монтаж компонентов, корпусирование и производство ПО, а также поддержка Минобрнауки России позволяют нам быть уверенными в успешной реализации проекта», – прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.
Специалисты НИИ полупроводниковых приборов (г. Томск) разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт.
Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.
GaNтехнологии позволяют существенно уменьшить габариты и вес твердотельного усилителя радара, что очень важно для авиационных и космических применений, где необходима минимизация веса и габаритов радаров, в т. ч. и радаров с АФАР.
В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство. Подтвержденная на сегодня потребность в этих изделиях со стороны потенциальных заказчиков превышает 1 млрд. руб. в год. В целях обеспечения выпуска твердотельных усилителей, СВЧ-модулей и приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток НИИ полупроводниковых приборов проводит модернизацию производства.
«Ангстрем» объявил о разработке комплекта микросхем для космоса.
Комплект из пяти микросхем, включающий микропроцессор «Спутник», позволит отечественной космической программе «развиваться без оглядок на западные технологии».
Микропроцессор «Спутник» на базе ядра ARM, мультиплексор и три типа аналого-цифровых преобразователей созданы в рамках ОКР «Обработка-15» по госконтракту с Минпромторгом, заключенному в 2012 году на сумму в 153 миллиона рублей со сроком завершения в январе 2015 года. Во втором квартале 2016 года «Ангстрем» готов приступить к серийным поставкам «Спутника».
В ходе мероприятия участники смогут ознакомиться с микросхемой 5023ВС016, техническими характеристиками и обновленной версией комплекта разработки и отладки.
В рамках мероприятия планируется обсудить следующие вопросы:
· дополнения и уточнения в ТУ микросхемы 5023ВС016: производительность, работа с памятью, новые интерфейсы;
· порядок приобретения микросхемы 5023ВС016 в 2017 году: стоимость, срок поставки,
комплект разработки и отладки 5023ВС016: возможности, новые библиотеки, среды разработки;
· устройства и модули на основе микросхемы 5023ВС016: практический опыт разработки;
· перспективы развития микросхемы 5023ВС016: пожелания разработчиков РЭА в отношении функционала микросхемы, доступных интерфейсов, типов корпуса и других характеристик.
Комплект предназначен для ознакомления с возможностями процессора «Спутник», а также для интеграции микросхемы в существующую или разрабатываемую систему.
Состав комплекта
Демонстрационная плата
Блок питания
CD-диск с техническим описанием и комплектом тестовых программ
Кабель JTAG
Cостав демонстрационной платы
Микросхема 5023ВС016 (процессор «Спутник»)
Микросхемы NOR Flash-памяти 1 МБ
Микросхемы SRAM памяти 2 МБ
Микросхемы MRAM памяти 2 МБ
Четыре канала интерфейса по ГОСТ Р 52070-2003 c резервированием
Два канала интерфейса SpaceWire со скоростью передачи данных до 100 Мбит/с
Интерфейс отладки JTAG (IEEE 1149.1)
Два асинхронного последовательного интерфейса UART
Интерфейс RS232
Интерфейс USB CDC
Два последовательных интерфейса SPI, с возможностью подключения внешних устройств или использования установленных на плате микросхем SPI NOR Flash-памяти (16МБ), 12-битного SPI АЦП, OLED экрана
Интерфейс приема телеметрии и передачи телекоманд по стандарту CCSDS
Напряжение питания платы - 12В