космическая электроника

Pu239> Это примерно как соль поваренная без ГМО и масло растительное без холестерина. Это значит, что не выйдет из строя от рентгена в аэропорту, на аппарате с надписью "безопасно для фотопленки".
Всего-то?
Маркетинг для лохов?
А то меня смутила повышенная надежность вкупе с.
Так, словно ячейки специально сделали с использованием всех тех защит от разрушения, от зарядов в подложке и т.д...

Bredonosec> очень сильно смутила ремарка насчет "стойкости к рентгену".

"Так и ви говорите!" ©
Кто проверит то?

Bredonosec> Это что, спейс грейд решили пустить в широкую продажу?
Bredonosec> или как это понимать?

Вообще, было что-то про увеличение радстойкости при снижении размерности техпроцесса. Типа 30 нм устойчивее, чем 90 нм просто в силу размернотных физических причин. Может это оно?

Bredonosec> Маркетинг для лохов?
Почти. Неправды в их заявлениях нет, просто обыкновенные свойства продукта выставлены как что-то особенное.
Bredonosec> А то меня смутила повышенная надежность вкупе с.
Bredonosec> Так, словно ячейки специально сделали с использованием всех тех защит от разрушения, от зарядов в подложке и т.д...
Похоже на старую добрую MLC память. У нее ячейка крупнее, чем у новомодных TLC и QLC. Соответственно, и стойкость выше. Самсунг вроде научился делать ячейки во много слоев - нет необходимости делать ячейку совсем уж крошечной. С теплоотводом у флешки проблем нет, можно многослойными делать.
Если бы флешка была space grade, то емкость получилась бы на пару порядков меньше. Причем модернизировать бытовую микросхему до space не получится, только проектировать заново.
Особенно мне понравилась стойкость в магнитных полях - это точно то же, что и соль NaCl без ГМО.

Naib> "Так и ви говорите!" ©
Naib> Кто проверит то?
Коммерчески продаются, купи и проверь..

Naib> Вообще, было что-то про увеличение радстойкости при снижении размерности техпроцесса. Типа 30 нм устойчивее, чем 90 нм просто в силу размернотных физических причин. Может это оно?
Нее, наоборот, чем мельче, тем более подверженно, бо затворы тонкие, емкость никакая, одна частица может и пробить и пожечь ячейку..

Зы, а разве они свои тлц не на более мелких 2-5-7 нм лепят?
Или это только для процев машинки?

Naib> Вообще, было что-то про увеличение радстойкости при снижении размерности техпроцесса. Типа 30 нм устойчивее, чем 90 нм просто в силу размернотных физических причин. Может это оно?
Это как? В современной флешке с полсотни электронов в ячейке, изолятор в десяток атомов толщиной. Она от косого взгляда заряд терять должна. Есть где почитать про этот эффект?

Pu239> Это как? В современной флешке с полсотни электронов в ячейке, изолятор в десяток атомов толщиной. Она от косого взгляда заряд терять должна. Есть где почитать про этот эффект?

ЕМНИП, там вроде снижалась вероятность поражения ТЗЧ и прочего, так как плотность значимых электронных компонент падала. При сохранении количества структур они становились меньше и были расположены шире.

Naib> ЕМНИП, там вроде снижалась вероятность поражения ТЗЧ и прочего, так как плотность значимых электронных компонент падала. При сохранении количества структур они становились меньше и были расположены шире.
Так соглашусь. Но это специально спроектированный radhard с использованием достигнутых мелких проектных норм, а не физический эффект. За счет избытка площади можно еще и троировать каждый элемент. Подумаешь, в 10 раз больше ключей надо! Жалко что ли? При переходе от 130 к 14 нм на той же площади ключей почти в 100 раз больше поместится.

Bredonosec> очень сильно смутила ремарка насчет "стойкости к рентгену".

Она и так стойка к рентгену
Микросхема слишком прозрачна для него, почти всё проходит насквозь. Есть известная хохма про микросхемы программируемого ПЗУ с УФ стиранием. Это которые надо полчаса жарить под ртутной лампой, чтобы стёрлись.
Регулярно различные умники пытаются стереть их рентгеновской трубкой, типа рентген же мощнее! И жестоко обламываются — рентген их стирает крайне медленно. Многие часы или даже дни. Зависит от конкретной микросхемы и источника.

Bredonosec> или как это понимать?

"Поваренная соль с добавлением хлорида натрия".

Pu239> Это как? В современной флешке с полсотни электронов в ячейке, изолятор в десяток атомов толщиной. Она от косого взгляда заряд терять должна. Есть где почитать про этот эффект?

Не должна. Электрону нужно придать необходимую энергию, иначе он не сможет сбежать из ловушки.

А что касается повышения стойкости, то тут всё просто: для высокоэнергетического излучения вероятность попадания в ячейку обратно пропорциональна её объёму. Объём — это куб линейных размеров. Плюс повышенная плотность позволяет зарезервировать часть ячеек под коды коррекции ошибок. По совокупности — стойкость и увеличивается.