2 Октября 2019 АО «Экран-оптические системы» («ЭОС», актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия. Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник – средства акционера и заемные. Как сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин, производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, – до 10 тыс.
// Дальше — www.ratm.ru
АО «Экран-оптические системы» опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП), ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия. Объем инвестиций составил 350 млн рублей.
производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, – до 10 тыс. пластин GaAs* в год.
В настоящее время «ЭОС» – единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы – сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.
При поддержке ученых мы можем предложить как стандартизированные варианты напыления подложки, так и специальные решения, выполненные под заказ.
наногетероструктуры GaAs необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей, фотоприемников, индикаторов, дисплеев и др.
Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур и приборов на их основе. вентили на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия этот показатель увеличивается в разы – до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем – приборы на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений – примерно 1 млрд рублей.
Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа – до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего – до 3 млрд рублей. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.
АО «Экран-оптические системы» – один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом «ЭОС» работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%.